韓國半導體龍頭企業三星電子和SK海力士近期針對第六代10納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）進行技術升級。
SK海力士于8月底宣布開發出業界首款第六代10納米級DRAM芯片。該芯片運行速度為8Gbps（千兆比特/秒），與前一代相比速度提高了11%，將主要用于高性能數據中心。SK海力士表示，該芯片比前一代的能效提高了9%以上，在當前人工智能蓬勃發展的時期，可幫助數據中心減少多達30%的電力成本。
三星電子半導體部門目前正在對干式光刻膠技術進行內部評估，計劃率先將其應用于三星電子10納米級第六代DRAM中。干式光刻膠技術用于半導體電路曝光工藝之前。在當前曝光工藝條件下，會在晶圓上涂抹一種對光敏感的液體光刻膠。干式光刻膠技術則無需涂抹液體光刻膠，通過化學反應在晶圓上形成一層薄膜，較涂抹液體光刻膠更薄且更均勻。此外，干式光刻膠還能更精確地刻出超微細電路，并且相較液體光刻膠的材料浪費更少。
三星電子正在考慮在10納米級第六代DRAM的40—50層堆疊中，將干式光刻膠技術用于某一層電路的制造。此外，這項技術也將用于超微細電路的極紫外光（EUV）光刻膠。如果三星電子成功將干式光刻膠技術用于量產，將對現有光刻材料與設備生態系統產生重大影響。
韓國半導體龍頭企業三星電子和SK海力士近期針對第六代10納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）進行技術升級。
SK海力士于8月底宣布開發出業界首款第六代10納米級DRAM芯片。該芯片運行速度為8Gbps（千兆比特/秒），與前一代相比速度提高了11%，將主要用于高性能數據中心。SK海力士表示，該芯片比前一代的能效提高了9%以上，在當前人工智能蓬勃發展的時期，可幫助數據中心減少多達30%的電力成本。
三星電子半導體部門目前正在對干式光刻膠技術進行內部評估，計劃率先將其應用于三星電子10納米級第六代DRAM中。干式光刻膠技術用于半導體電路曝光工藝之前。在當前曝光工藝條件下，會在晶圓上涂抹一種對光敏感的液體光刻膠。干式光刻膠技術則無需涂抹液體光刻膠，通過化學反應在晶圓上形成一層薄膜，較涂抹液體光刻膠更薄且更均勻。此外，干式光刻膠還能更精確地刻出超微細電路，并且相較液體光刻膠的材料浪費更少。
三星電子正在考慮在10納米級第六代DRAM的40—50層堆疊中，將干式光刻膠技術用于某一層電路的制造。此外，這項技術也將用于超微細電路的極紫外光（EUV）光刻膠。如果三星電子成功將干式光刻膠技術用于量產，將對現有光刻材料與設備生態系統產生重大影響。
本文鏈接：韓企推進存儲半導體技術升級http://m.sq15.cn/show-2-8359-0.html
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