科技日報訊（記者劉霞）美國賓夕法尼亞州立大學(xué)科研團隊研發(fā)出一種特殊的多層超材料，在強磁場作用下，其紅外光發(fā)射強度顯著超過吸收強度，為收集太陽能、開發(fā)熱隱身技術(shù)開辟了新路徑。相關(guān)論文發(fā)表于最新一期《物理評論快報》。
了解材料如何吸收和發(fā)射紅外光（熱）是諸多科學(xué)和工程研究領(lǐng)域的核心。1859年，德國物理學(xué)家古斯塔夫·基爾霍夫提出的熱輻射定律指出：在特定條件下，材料的紅外光吸收率與發(fā)射率始終相等。這一沿用160余年的“互易性”定律已被認為是普遍適用的定律，指導(dǎo)科學(xué)家設(shè)計和控制熱輻射器件的方法。
然而，在過去十年間，科學(xué)家開始探索可能違反基爾霍夫定律的機制：非互易性。例如，在有外加磁場或者旋轉(zhuǎn)運動時，一些材料或結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生非互易性。2023年，科學(xué)家將單層磁光材料砷化銦（InAs）置于約1特斯拉（略低于MRI儀器產(chǎn)生的磁場，但超地球磁場強約10萬倍）的強磁場中，成功實現(xiàn)了非互易性。盡管這一成果證實了理論預(yù)測，但非互易性效果甚微。
在最新研究中，團隊通過創(chuàng)新設(shè)計，首次實現(xiàn)了強非互易熱發(fā)射——材料的發(fā)射率比吸收率高出43%，創(chuàng)下該領(lǐng)域最高紀(jì)錄。
團隊創(chuàng)造了由5層電子摻雜銦鎵砷（InGaAs）制成的“超材料”。每層InGaAs的厚度約為440納米，且摻雜濃度隨層數(shù)的增加而增加。隨后，他們將InGaAs轉(zhuǎn)移到硅基板上，并使用定制的角分辨磁熱發(fā)射光譜儀對樣品進行研究。
測試結(jié)果顯示，在267℃高溫環(huán)境配合5特斯拉超強磁場，新材料展示出迄今最高的非互易性，且在13—23微米寬光譜范圍保持穩(wěn)定性能。
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